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采用薄膜工艺,实现了锰铜压阻元件在氧化铝绝缘体中的无胶封装.锰铜计以“后置式”方式工作.初步试验表明,这种结构的锰铜计可突破常规锰铜计约50GPa的高压测试上限,并且具有极快的响应.
采用氧化铝封装的薄膜式锰铜传感器
【摘 要】
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采用薄膜工艺,实现了锰铜压阻元件在氧化铝绝缘体中的无胶封装.锰铜计以“后置式”方式工作.初步试验表明,这种结构的锰铜计可突破常规锰铜计约50GPa的高压测试上限,并且具有
【机 构】
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电子科技大学信息材料工程学院(四川成都)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2001年期
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