【摘 要】
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提出了一种将多孔硅牺牲层应用于制作悬浮薄膜结构的方案.采用专用容器在不同浓度的HF溶液生成了多孔硅,并对其质量进行了比较.高浓度的HF溶液中阳极氧化生成的多孔硅孔隙小、容易被碱性溶液腐蚀,适合于作牺牲层材料.采用TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液进行释放,获得了镂空的SiO悬浮薄膜,薄膜面积可达400μm×400μm,该薄膜在制作高性能RF-MEMS器件中有重要用途.
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提出了一种将多孔硅牺牲层应用于制作悬浮薄膜结构的方案.采用专用容器在不同浓度的HF溶液生成了多孔硅,并对其质量进行了比较.高浓度的HF溶液中阳极氧化生成的多孔硅孔隙小、容易被碱性溶液腐蚀,适合于作牺牲层材料.采用TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液进行释放,获得了镂空的SiO<,2>悬浮薄膜,薄膜面积可达400μm×400μm,该薄膜在制作高性能RF-MEMS器件中有重要用途.
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