【摘 要】
:
利用脉冲激光沉积技术制备了高质量的PtSi/Si纳米薄膜.采用X射线光电子能谱、原子力显微镜及高分辨电子显微镜等现代材料分析方法,研究了不同工艺参数薄膜的相形成、组分和界面结构,利用I-V法和FTIR法测量了样品的肖特基特性和红外吸收特性等光电性能.系统分析了工艺参数、界面结构与光电性能的关系.揭示了PtSi纳米薄膜的形成条件及其界面结构对红外探测性能的影响规律.
【机 构】
:
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院(哈尔滨) 兰州物理研究所激光分子束外延技术实验室(兰州)
【出 处】
:
第四届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
利用脉冲激光沉积技术制备了高质量的PtSi/Si纳米薄膜.采用X射线光电子能谱、原子力显微镜及高分辨电子显微镜等现代材料分析方法,研究了不同工艺参数薄膜的相形成、组分和界面结构,利用I-V法和FTIR法测量了样品的肖特基特性和红外吸收特性等光电性能.系统分析了工艺参数、界面结构与光电性能的关系.揭示了PtSi纳米薄膜的形成条件及其界面结构对红外探测性能的影响规律.
其他文献
应用X射线衍射技术、霍普金森效应、静态性测量和DSC研究了淬火态FeNbB合金的纳米相晶化特征与结构.结果表明,在440~600℃范围内退火可形成纳米α-Fe晶相,其起始晶化温度与热历史有关;淬火态居里温度为162℃,经480℃退火后Tc为最大值167℃.
对共沸蒸馏法合成的晶粒尺寸平均为18nm的纳米晶体ZrO进行了TEM和XRD表征,用绝热量热技术在79~370K温区对其比热进行了精确测定,并与相应的常规晶体ZrO相比较,发现纳米晶体ZrO比常规晶体有明显的增强的热容,表明纳米晶体的活泼性高于相应的常规晶体.差示扫描量热结果发现纳米晶体ZrO在1466K有一晶体结构转变.
采用溶胶-凝胶法和提拉法在ITO导电玻璃衬底上制备了PbLaTiO薄膜材料,利用XRD、SEM、UV-VR、表面光电压等现代分析测试手段对所制备薄膜材料的结构和光电性能进行了研究,并对薄膜材料的低温制备机理进行了讨论.
以TiOSO为原料,由化学沉淀法制备了纳米TiO粉末,经不同温度热处理后,XRD研究表明为锐钛矿型TiO.采用粘结剂法在玻璃板涂敷一层TiO粉末,以甲基橙为研究对象,紫外灯为光源,研究了催化剂的光催化活性.
采用硬脂酸凝胶法制备了纳米TiO,用DTA--TG跟踪固相反应进程,用XRD表征纳米晶的晶型及晶粒大小.用TEM表征TiO的形貌及计算晶粒的大小.用XPS分析了不同晶型的纳米材料表面吸附氧的情况.用原子力显微镜对在玻璃衬底上做的锐钛矿型纳米TiO薄膜的表面形貌进行表征.本文对以上表征结果进行了较详细的讨论.
将KH-570硅烷偶联剂键合到纳米粒子表面,从而使偶联剂分子中的烷基基团包覆在纳米粒子表面,这种粒子称烷基化纳米SiO,本文重点研究了纳米SiO烷基化前后的结构分析.
通过溶胶一凝胶法制备的纳米α—FeO,其材料比表面积大,气敏特性显著,并在此过程中适当掺杂,提高材料的气敏特性.
采用改进的溶胶--凝胶法制备了一系列LaKMnO(0O面内和面间各向异性的输运行为决定的.
将ErO、YbO及HoO、YbO分别共掺杂到TeO和CdF混合物中,烧结后,形成TeErYb和TeHoYb两样品.ErO、YbO和HoO浓度分别为0.6mol℅、1.4mol℅.在930nm LED激发下,测量了这两样品的荧光光谱,观察到上转换谱线主要有绿光(约544nm和551nm)和红光(约659nm和666nm).由ErO、HoO、YbO的吸收谱及能级跃迁原理说明了两样品能量上转换机制及特性
利用VO掺杂的WO为靶材,采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术(PLD),在非晶玻璃补底及硅单晶上沉积了WOx薄膜.利用X-射线衍射(XRD)、喇曼光谱(RS)等分析手段,研究了VO掺杂的WO靶材及不同条件下沉积样品的结构特性,实验结果表明:氧分压和沉积温度是决定薄膜结构和成份的主要参数.在沉积温度400℃及20Pa氧分压下得到了C轴取向生长的三斜相纳米晶WO(V)薄膜.本文还研究了WO(V)薄膜