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背面局部接触电池可以减少背面复合.本文通过调节背面局部接触电池背场和硅基材之间SIN 钝化层不同的厚度,对电池电性能进行研究.电池IV 参数表明三层氮化硅具有更佳的表面钝化效果,硅太阳电池的转换效率、开路电压Voc 和短路电流密度Jsc 都有所提升.
背面氮化硅钝化膜厚度对单晶硅太阳能电池的影响
【摘 要】
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背面局部接触电池可以减少背面复合.本文通过调节背面局部接触电池背场和硅基材之间SIN 钝化层不同的厚度,对电池电性能进行研究.电池IV 参数表明三层氮化硅具有更佳的表面钝
【机 构】
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无锡尚德太阳能电力有限公司 214028
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
【发表日期】
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2012年期
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