【摘 要】
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本文介绍了一种采用低p值铁氧体材料设计的高平均功率双层差相移器的设计方法,样件的实测插损约0.1dB,理论上在20kW平均功率下铁氧体样品相对于波导壁的温升为16℃.在结构上采用外侧壁加水冷板的形式,有效地减小了器件体积。采用此差相移器制作的差相移环行器通过了峰值功率和平均功率考核。
【机 构】
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北京无线电测量研究所,北京 100854
【出 处】
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第十六届全国磁学和磁性材料会议暨第十七届全国微波磁学会议
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本文介绍了一种采用低p值铁氧体材料设计的高平均功率双层差相移器的设计方法,样件的实测插损约0.1dB,理论上在20kW平均功率下铁氧体样品相对于波导壁的温升为16℃.在结构上采用外侧壁加水冷板的形式,有效地减小了器件体积。采用此差相移器制作的差相移环行器通过了峰值功率和平均功率考核。
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