Various types of organic dyes were synthesized to enhance efficiency over past years.Understanding structure-property relationships is a significant issue to develop novel dye for high efficiency dye-
高效、稳定、环保的蓝光是红/绿/蓝三基色白光LED 应用的关键因素,但相对于绿光和红光发射,蓝光发射效率偏低。近年来,无铅双钙钛矿材料相对于铅卤钙钛矿具有天然的低毒性和高稳定性,特别是其自限域激子(self-trapped excitons)发光表现出高量子产率的宽带暖白光发射[1],颇受研究者青睐。
The UV/visible detection of ZnO/NiO nanowire arrays is firstly found,that is the low energies photons could be detected which are significantly smaller than the band gap of ZnO(3.3eV)and NiO(3.7eV),an
Antimony selenide(Sb2Se3)emerging as a promising photovoltaic material has achieved over 9%efficiency within only 6 years.1 Various kinds of buffer materials are employed for Sb2Se3 solar cells to con
Antimony selenide(Sb2Se3)has attracted increasing attention due to its low-cost,non-toxic,earth-abundant components and similar properties with CdTe.
Sb2Se3 是一种直接跃迁的窄带隙p 型半导体材料,由于其很好的环境稳定性、高温差电动势和优异的光伏效应等性质,在光电器件、光伏器件和电化学器件有巨大的应用潜力。
金属卤化物钙钛矿材料在太阳电池等光电器件应用方面取得巨大成功,短短十年便获得光电转化效率达25.2%的钙钛矿太阳电池.然而钙钛矿太阳电池性能的进一步提升依赖于对其工作原理的深入探讨,比如,电荷输运是影响钙钛矿材料和光电器件性能的关键步骤,研究钙钛矿材料在纳米尺度下电荷输运的独特尺寸效应对钙钛矿光电器件的设计和开发具有重要的指导意义.然而,如何在埃尺度乃至单个晶胞层面上表征和研究钙钛矿材料的电荷输运
相对于一元和二元半导体的研究,人们对Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4 型多元化合物半导体的认识还非常有限,目前仅有以Cu2ZnSnS4(CZTS)为代表的少数化合物得到较为系统的研究,如I2-ZnSnS4(I=Ag,Li,Na),Cu2-Ⅱ-SnS4(Ⅱ=Cd,Ca,Mg,Ba,Fe),Cu2Zn-Ⅵ-S4(Ⅵ=Ge,Si),Cu2ZnSn-Ⅵ4(Ⅵ=S,Se)等,这些化合物都是直接带隙半导体,已在光伏、热电、
三元阳离子和二元阴离子混合的(FA1-x-yMAxCsy)PbI3-zBrz 钙钛矿中,三种离子半径相近的阳离子和两种卤素阴离子共存,不仅可以调节容忍因子、抑制α-FAPbI3 相变、大大的提升了其本征稳定性;同时又可以抑制离子迁移和电荷复合,提升载流子提取效率和传输。
黄铁矿(FeS2)材料具有稳定好、无毒、成本低、材料来源广、光学带隙合适和吸光能力强等特点,但是目前制备的黄铁矿太阳能电池的效率与理论值相差还很大,对此研究者们认为有黄铁矿薄膜不纯、存在界面缺陷等多种原因[1,2]。