基于三维集成结构的3D SRAM可以解决当前2D SRAM芯片所遭受到的有效面积(ar-ea efficiency)、和延时等等这些瓶颈问题。本文提供两个模拟器：2D SRCTI和3D SRCTI,分别对由传统集成工艺和由三维集成工艺得到的SRAM进行性能、总面积、有效面积的对比。传统SRAM模拟工具；2D SRCTI,是在HP公司的CACTI的基础上改进得到的,通过调整模型结构使结果与某工艺厂商下的memory compiler所生成的实际版图参数相接近,让二维集成模型更加真实。三维集成SRAM的模拟器3D SRCTI是在3D CACTI的基础上进行了改进,并加入了TSV参数,让三维集成模型更加的具体,对三维结构的设计空间探索更加具体化。本文量化分析证明了三维集成工艺的优势。同时本设计的一个创新之处是在前人的基础上提出了三维SRAM模拟工具并在设计中添加了TSV的参数,丰富了设计者对三维SRAM结构设计空间的探索。