刚挠结合板开窗工艺研究

来源 :第四届全国青年印制电路学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenpeixin
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
@@随着电子设备的发展,特别是以手机与数码相机等讲究轻、薄、短、小的趋势,因此不断透过减少零件组件或将零件结合成模块,以缩小成品体积,刚挠结合板的需求应用而生,它有效的利用了安装空间,降低安装成本,并可代替插件,保证在冲击、潮湿等环境下的可靠性,刚挠结合板既具有刚性印制板的支撑作用,又有柔性板的特性,因此它的应用由于其显著的优越性有着越来越广泛的前景,特别是航天航空和军事领域越来越多使用刚挠印制板,但其制作难度大,一次性成本高……。本文介绍了刚挠印制板开窗工艺,并对两次铣槽的加工方法及加工难点作了阐述。
其他文献
本文在概述当前铝合金车轮传统表面处理工艺的基础上,扼要介绍了无铬钝化预处理、纯聚酯粉末涂料、铝车轮直接电镀、涂装与电镀结合工艺、真空电镀、纳米技术、亮丽永驻法等国
本文结合作者的实践经验,针对水帘喷漆室抽风系统设计与使用维护存在的问题,进行了详尽的探讨,从流体力学的角度分析了风机的选型对抽风量的影响,研究了管路系统中的摩擦阻力、局
电镀使用有毒有害原料多,用水量大,污染物排放量也大,属重污染行业,必须对其进行强制性清洁生产审核。另外,电镀种类多、设备多、工艺多、产污环节也多,故开展电镀清洁生产审核难度
针对医用x射线成像质量降低的问题,运用扫描电子显微镜(SEM)及其附带的能谱仪(EDS)对产生X射线的阳极靶进行了分析,结果表明:阳极靶在叠层烧结过程中,压坯之间隔层用氧化铝粉
利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电
研究了市场所售椰壳粒状活性碳(AGC)加载在无纺纤维上的滤材在不同面速时对甲苯的吸附情况。为研究吸附机理、使用了3种简化的动力学模式来描述动态数据并计算吸附常量:假1阶
在半导体工业长期发展的进程中,可以明显地看到无论技术发展或产品质量都与现场气相环境有紧密关系。经典的活性炭吸附器正因微电子行业的需要,于90年代后期改名变成了时髦的化
当半导体制程进展到纳米技术以后;气悬分子污染(AMC)对制程和良率的危害程度已经取代气悬微粒污染问题,成为当今纳米科技研发和制造洁净室环境的主要难题。为了解决AMC问题;本
@@绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种由MOSFET,和双极功率晶体管结合而成的达林顿结构。简述了IGBT在国内外的发展概况,在各个领域的应用,及其可靠性研究的情况。