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低维磁性纳米材料在数据存储和纳米传感器方面有着重要应用价值[1].本研究主要是利用孔径100纳米以下的尺寸可控的超薄阳极氧化铝(AAO)模板[2]作为掩膜制备高密度磁性纳米点阵列结构材料并系统研究其性质.通过复合材料接合技术实现超薄AAO模板和单晶硅片的大面积接合,并利用有序密堆积的多孔超薄AAO模板作掩膜,单晶硅作衬底,在高真空状态下进行磁性材料生长,在单晶硅衬底上得到有序磁性纳米点阵列结构.