【摘 要】
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我们对基于单根碳纳米管的互补型金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管(FET)的接触长度(Contact Length,Lc)缩减行为进行了实验探究,低功函数金属钪(Sc)和高功函数金属钯(Pd)分别用来形成与碳纳米管的n 型和p 型接触,并且设计的电极接触长度范围从30 nm 到140 nm.
【机 构】
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北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京 100871
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我们对基于单根碳纳米管的互补型金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管(FET)的接触长度(Contact Length,Lc)缩减行为进行了实验探究,低功函数金属钪(Sc)和高功函数金属钯(Pd)分别用来形成与碳纳米管的n 型和p 型接触,并且设计的电极接触长度范围从30 nm 到140 nm.
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