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忆阻器是一种可以记忆流经其电荷的无源非线性电阻,在众多领域有着巨大的应用潜力,当前其最直接的用途是作为数据存储的介质,同时它还能用于逻辑操作。本文通过在已有的忆阻器状态逻辑计算方式的基础上,根据通常采用交叉杆阵列结构设计了该逻辑计算方式的并行化,并分析了其进一步扩展的可能性和需要在存储数据结构上的改进,实验结果验证了本文提出的状态逻辑运算并行化的有效性和可行性。