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比较不同工艺光电耦合器件抗中子辐照能力的大致情况,分析器件中子位移损伤存在差异的原因。试验研究表明,低输入电流、高电流传输比率的光电耦合器件有较强的抗中子辐照能力。该结论可为今后提高武器电子学系统抗中子辐射水平提供参考.
光电耦合器件中子辐照损伤研究
【摘 要】
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比较不同工艺光电耦合器件抗中子辐照能力的大致情况,分析器件中子位移损伤存在差异的原因。试验研究表明,低输入电流、高电流传输比率的光电耦合器件有较强的抗中子辐照能力
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2007年期
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