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MO源的研究和发展一直是MOCVD和CBE技术发展的核心问题之一,随着MOCVD技术的发展和化合物半导体产业步伐的加快,对MO源品质的要求越来越高.本文将围绕发展比较快的Ⅲ/Ⅴ族MO源,就近年来的发展分别进行总结和分析.
Ⅲ/Ⅴ族MO源研究进展与展望
【摘 要】
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MO源的研究和发展一直是MOCVD和CBE技术发展的核心问题之一,随着MOCVD技术的发展和化合物半导体产业步伐的加快,对MO源品质的要求越来越高.本文将围绕发展比较快的Ⅲ/Ⅴ族MO
【机 构】
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国家863计划新材料MO源研究开发中心,南京大学化学化工学院(南京)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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