【摘 要】
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采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O或N气氛下迅速退火以及N气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化
【机 构】
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半导体功能薄膜工程技术研究中心,中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O<,2>或N<,2>气氛下迅速退火以及N<,2>气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化铪薄膜结晶性能的影响;同时借助X射线光电子能谱(XPS)研究了靶材及氧化铪薄膜退火前后的成分与化学配比,电子结合状态情况;最后采用扩展电阻测量法分析了氧化铪薄膜的电介质绝缘性能.
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