GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hackxingxing

【摘要】

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本文研究了液封直拉法生长的GaSb和InAs单晶的一些晶格缺陷.在GaSb和InAs(100)晶片的局部区域容易形成高密度位错聚集区,引起严重的晶格畸变.实验结果表明化学配比偏离(特别

【作者】

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赵有文孙文荣段满龙董志远

【机构】

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中国科学院半导体研究所,北京,100083

【出处】

：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

单晶衬底晶格缺陷化学配比液封直拉法生长高密度位错晶格畸变结构缺陷完整性聚集区过冷度质量温度实验区域局部晶体晶片

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本文研究了液封直拉法生长的GaSb和InAs单晶的一些晶格缺陷.在GaSb和InAs(100)晶片的局部区域容易形成高密度位错聚集区,引起严重的晶格畸变.实验结果表明化学配比偏离(特别是富砷条件下)明显降低了InAs单晶的晶格完整性.避免生长过程中大的温度过冷度、保持化学配比是避免这类结构缺陷产生,制备高质量晶体的关键.

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