【摘 要】
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Due to the excellent physical properties,such as high breakdown field,high electron saturation velocity,and good thermal stability,GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) have emerged as
【机 构】
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Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry(Ministry of Education),Department of E
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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Due to the excellent physical properties,such as high breakdown field,high electron saturation velocity,and good thermal stability,GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) have emerged as the most promising candidates for the high power and high frequency applications.
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