基于纳米线阵列的纳米硅/二氧化硅多层膜发光器件

来源 :第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:landingyao
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图形化衬底表面由于其在发光器件和太阳能电池等光电子器件中具有良好的减少光学损失的作用在近年来成为一个热点研究领域.在实验室之前的工作中,我们使用了一种纳米小球刻蚀技术得到了具有良好减反效应的图形化Si 衬底.本文中,我们从实验上和理论模拟两方面对纳米图形化Si 衬底的减反效果进行了研究,利用原子力显微镜(AFM)和紫外可见近红外分光光度计UV-3600对图形化Si 衬底进行了表征.用软件Finit
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光子的量子特性被广泛应用于量子计算、量子通信和量子测量等领域中。本文将阐述基于硅基波导结构的量子光源的原理、实现方案及其应用。
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石墨烯是一种由碳原子构成的零带隙二维纳米材料.相对于传统的体材料而言,石墨烯具有宽带吸收、极高的载流子迁移率和饱和吸收等特性[1].石墨烯与硅基光电子器件的混合集成有助于进一步提升硅基器件的性能[2-4].精确测量石墨烯/硅混合波导的线性损耗系数是石墨烯与硅材料混合集成应用的一个重要前提.本工作研究了硅基微环谐振腔与石墨烯的混合集成工艺并且精确测量了石墨烯/硅混合波导的线性损耗系数.我们通过PMM
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利用金属的纳米结构产生三倍频会有较大吸收损耗以及较小的模态体积,导致转换效率不高,而全介质超表面可以解决这一问题[1].类比金属中产生“trapped modes”的原理[2],我们利用全介质超表面局部不对称性产生的“trapped modes”也可以用来产生高Q 的法诺谐振[3],从而增大局部电场强度.这种模式会在介质中形成环形位移电流,产生磁偶极子谐振,并且对自由空间的耦合非常微弱,减少了辐射
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本文设计并实验制备了一种基于氮化硅平台的4 通道波分复用器件.器件结构主要基于级联的2×2 马赫曾德干涉仪.该波分复用器件工作在1310nm 波段,具有低于1.6dB 的插入损耗以及低于18dB 的通道间串扰.同时,由于氮化硅相较与硅更低的热光系数,该器件展示了17.5pm/K 的热光灵敏度,相较于硅器件减小了约四分之三.这种低的热光灵敏度配合平顶的通带设计使得该波分复用器件有希望工作在更大的温度
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