【摘 要】
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采用高温固相法,在化学成分比为(2-x)CaO-xZnO-SiO2-CaCl2(0≤x≤1.1)的体系中获得了发射位置在505 nm的强绿光荧光粉.通过X射线衍射和荧光光谱分析, 发现随着ZnO加入的增加,体系由Ca3SiO4Cl2相逐渐变为混相,最后变为纯Ca8Zn(SiO4)4Cl2相.与此同时,荧光粉在370-470nm的激发谱逐渐增强.在450 nm激发下,相比于Ca3SiO4Cl2：Eu
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室,吉林长春1300033;中国科学院,北京100049
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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采用高温固相法,在化学成分比为(2-x)CaO-xZnO-SiO2-CaCl2(0≤x≤1.1)的体系中获得了发射位置在505 nm的强绿光荧光粉.通过X射线衍射和荧光光谱分析, 发现随着ZnO加入的增加,体系由Ca3SiO4Cl2相逐渐变为混相,最后变为纯Ca8Zn(SiO4)4Cl2相.与此同时,荧光粉在370-470nm的激发谱逐渐增强.在450 nm激发下,相比于Ca3SiO4Cl2：Eu2+,Ca8Zn(SiO4)4Cl2：Eu2+的发光强度增强了1.9倍.考察了Eu2+掺杂浓度对Ca8Zn(SiO4)4Cl2样品的发光性质的影响,Eu2+的最佳浓度为3％.结果表明Ca8Zn(SiO4)4Cl2：Eu+的荧光粉可被450 nm的可见光有效激发,发光峰高度可达到目前热点绿色荧光粉Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu2+和Ca3Sc2Si3O12：Ce3+荧光粉的1.3和1.5倍.探讨了Ca8Zn(SiO4)4Cl2：Eu2+相比于Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu2+在蓝光激发下发光增强的原因.证实Ca8Zn(SiO4)4Cl2：Eu2+是一种适合蓝光激发白光LED用的绿色荧光材料.
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ZnO作为一种宽带隙半导体,由于具有3.37eV的带隙和高达60meV的激子束缚能等优异特性,已经引起了人们的广泛关注,尤其是在发光二极管和激光应用方面具有巨大潜力.C面蓝宝石衬底由于具有高的结晶质量,通常被作为GaN和ZnO等材料的衬底,但是与ZnO之间晶格失配高达18％,由于晶格不匹配,导致ZnO薄膜中存在大量的晶格缺陷.在本文中,我们讨论了不同取向的蓝宝石衬底(c面,r面和a面)蓝宝石对Zn
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在分析有机电致发光器件等效电路模型的基础上，利用NPB、AlQ3以及水溶性CuPc制备了结构为：ITO(15 Ω/□)/CuPc(不同浓度)/NPB(20 nm)/AlQ3(50 nm)/LiF(1 nm)/Al； ITO (60 Ω/□)/CuPc(不同浓度)/NPB(20 nm)/AlQ3(50nm)/LiF(1 nm)/Al的两组有机电致发光器件。研究了器件串联电阻对其伏安特性，发光亮度的影
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