【摘 要】
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本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析可知，发射结边缘氧化物侧墙是Site HBT器件辐照敏感区域，其中辐射诱导产生的界面态和氧化物陷阱电荷引起的表面复合电流的增大是导致SiteHBT器件电流增益退化的主要机制。而不同器件辐射响应的差异则与不同的器件结构以及工艺参数的不同而引入的不同的能级缺陷有关。
【机 构】
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中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所 新疆乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐 830011;新疆大学物理科学与技术学院 乌鲁木齐 83004
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析可知，发射结边缘氧化物侧墙是Site HBT器件辐照敏感区域，其中辐射诱导产生的界面态和氧化物陷阱电荷引起的表面复合电流的增大是导致SiteHBT器件电流增益退化的主要机制。而不同器件辐射响应的差异则与不同的器件结构以及工艺参数的不同而引入的不同的能级缺陷有关。
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