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InSb霍尔元件膜层刻蚀工艺
InSb霍尔元件膜层刻蚀工艺
来源 :第五届全国敏感元件与传感器学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cfzzfz
【摘 要】
:
文章介绍了在同一基底上,多种膜层的湿法刻蚀工艺机理,报导了InSb薄膜霍尔元件制造中介质隔离膜、敏感膜、欧姆接触膜等多层复合薄膜的选择刻蚀工艺技术,经试验证明效果良好。
【作 者】
:
冯桂华
王晓雯
【机 构】
:
仪器仪表工艺研究所
【出 处】
:
第五届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
霍尔元件
膜层
多层复合薄膜
元件制造
选择刻蚀
湿法刻蚀
欧姆接触
工艺技术
工艺机理
中介质
敏感膜
隔离膜
证明
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文章介绍了在同一基底上,多种膜层的湿法刻蚀工艺机理,报导了InSb薄膜霍尔元件制造中介质隔离膜、敏感膜、欧姆接触膜等多层复合薄膜的选择刻蚀工艺技术,经试验证明效果良好。
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