InSb霍尔元件膜层刻蚀工艺

来源 :第五届全国敏感元件与传感器学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cfzzfz
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文章介绍了在同一基底上,多种膜层的湿法刻蚀工艺机理,报导了InSb薄膜霍尔元件制造中介质隔离膜、敏感膜、欧姆接触膜等多层复合薄膜的选择刻蚀工艺技术,经试验证明效果良好。
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本文提出在弹性徐变体有限元分析中采用分区异步长算法,即在局部范围内采用小步长,而在其余广大范围内,采用大步长,从而使计算得到简化. In this paper, we propose to use a par