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Molecular beam epitaxy, structural and optical properties of GaAsBi layers

来源 :第七届铋化物半导体国际研讨会(7th International Workshop on Bismuth-contain | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunxiaoyan

【作 者】

：

Chantal Fontaine Alexandre Arnoult F.Cristiano Hélène Carrère Sawsen Azazia Andrea Balocchi 

【机 构】

：

LAAS, University of Toulouse, 7 avenue du Colonel Roche, 31400, Toulouse France

【出 处】

：

第七届铋化物半导体国际研讨会(7th International Workshop on Bismuth-contain

【发表日期】

：

2016年11期

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