【摘 要】
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传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导
【机 构】
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Key Laboratory ofNanodevices andApplications, Chinese Academy of Sciences
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导层和p-AlGaN电子阻挡层的相对位置,有效地增大了激光器的量子阱限制因子,减小了激光器的吸收损耗和应力,得到了“原子级光洁”的激光器腔面。通过数值计算的方法优化了GaN基蓝光激光器中lnGaN波导层的厚度和In组分。在此基础上,实现了GaN基蓝光激光器的室温连续激射,激光器的阈值电流密度为3.25kA/cm2,阈值电压为5.9V,激射波长为452nm。
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