【摘 要】
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采用脉冲激光沉积法(PLD)在石英村底上制备了MgNiO薄膜,研究沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。通过优化制各条件,在400℃、20Pa氧分压下得到高质量的MgNiO薄膜.研究了Mg含量对MgNi0薄膜禁带宽度的影响,发现Mg0.4Ni0.6O薄膜的禁带宽度达到5.15 eV,可应用于日盲区紫外探测。
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江 杭州 310027
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用脉冲激光沉积法(PLD)在石英村底上制备了MgNiO薄膜,研究沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。通过优化制各条件,在400℃、20Pa氧分压下得到高质量的MgNiO薄膜.研究了Mg含量对MgNi0薄膜禁带宽度的影响,发现Mg0.4Ni0.6O薄膜的禁带宽度达到5.15 eV,可应用于日盲区紫外探测。
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采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度为2×1017cm-3;XPS测试结果显示,As原子以As-O键的形式存在于p—ZnO薄膜中;利用低温光致发光(PL)测试结果可计算出As受主能级位于距价带顶137 meV处。另外,采用GaAs夹层掺杂法,在n-Si衬底上制备出了p—ZnO:As/n—Si异
以ZnCl2为掺杂源,采用MBE工艺在SI—GaAs衬底上生长了一系列不同ZnCl2源炉温度T(ZnCl2)和VI/II束流压强比的n—CdSe薄膜。所有样品均具有立方相闪锌矿结构。掺入适量的Cl能提高外延层的结晶质量和光学质量,但掺杂过饱和以后薄膜质量迅速下降。T(Zncl2)等于140℃时得到最高的电子浓度(3.8×1018cm-3)。降低Ⅵ/Ⅱ比能进一步提高掺杂浓度,当VI/II比减小到1.
利用MOCVD技术制备了Sb掺杂ZnO薄膜,在小掺杂量时研究了Sb的掺杂量对ZnO薄膜的结晶质量的影响,发现小掺杂量时随着Sb含量的增加ZnO薄膜的晶粒尺寸有所增加,结晶质量有所提高.
采用金属有机化学气相沉积(MDCVD)方法在Si衬底上制备了NiO薄膜,扫描电子显微镜(SEM)和x射线衍射(XRD)分析显示,随着温度的升高NiO薄膜晶体质量得到了进一步的改善,并呈现(200)择优取向的趋势。紫外-可见分光光度计(UV)测试结果表明,随着温度的升高,NiO薄膜的平均透过率也得到了提高,其中400nm附近最高透过率为96％,通过线性外推作图法得到NiO薄膜的禁带宽度大约为3.70
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