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Hf-Ti-O栅介质薄膜材料以及在ETSOI MOSFET器件的性能研究

来源 :2016北京微电子研究生学术论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tingchao12

【摘 要】

：

本论文主要研究Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料的MOS和ETSOI MOSFET器件性能.通过MOS器件性能研究,得到以Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料具有优异的电学性能,其EOT能达到～0.77 nm,同时平带电压弛豫为～4 mV,栅电流为0.33 A/cm2@Vg=Vfb-1V.为了进一步研究Hf-Ti-O薄膜在器件中的应用,我们采用ETSOI衬底,制备了沟道长度为25 nm的MOSFET器件

【作 者】

：

陈小强 

【机 构】

：

北京有色金属研究总院(先进电子材料研究所)

【出 处】

：

2016北京微电子研究生学术论坛

【发表日期】

：

2016年11期

【关键词】

：

Hf-Ti-O high-k ETSOI MOSFET conduction mechanism DIBL subthreshold swing 

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论文部分内容阅读

　　本论文主要研究Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料的MOS和ETSOI MOSFET器件性能.通过MOS器件性能研究,得到以Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料具有优异的电学性能,其EOT能达到～0.77 nm,同时平带电压弛豫为～4 mV,栅电流为0.33 A/cm2@Vg=Vfb-1V.为了进一步研究Hf-Ti-O薄膜在器件中的应用,我们采用ETSOI衬底,制备了沟道长度为25 nm的MOSFET器件.该器件性能优于以HfO2作为栅介质的MOSFET器件,其开关比为2.9×101,跨导为2.63 mS；同时器件具有好的短沟道控制能力,DIBL为53mV/V,亚阈值摆幅为65 mV/dec.

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