论文部分内容阅读
采用反应磁控溅射和电子柬蒸发的方法在复合衬底Al2O3/AlN上生长ZnO薄膜，通过X-ray衍射(XRD)及透射光谱分析薄膜的成膜情况及在可见光范围内的透光性，通过其半高全宽计算出ZnO晶粒的大小，并得出采用磁控溅射方法沉积制备的ZnO薄膜，在薄膜的结晶化、表面形貌、薄膜的致密程度以及薄膜透过率等方面均比采用电子束蒸发的方法制备薄膜优异。通过不同的快速热退火温度验证退火对薄膜影响，发现在400℃时，溅射制备得的ZnO薄膜的结晶化及在(002)方向上的择优取向达到最好，并在可见光范围内的平均透过率达到88％以上，而采用电子束蒸发制得ZnO薄膜成膜性较差，其在可见光范围内最大透过率仅在72％。