【摘 要】
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介绍了用于高功率相对论速调管放大器的强流相对论二极管的物理和模拟设计,以及通过模拟研究的方法分析了影响环形电子束发射均匀度的因素,重点通过模拟结果分析和阐述了产生环形电子束流发射密度不均匀的原因以及消除束流发射不均匀的方法.利用PIC模拟方法从对改变不同的二极管阴极参数,包括阴极大小,阴极厚度等,发射得到的环形电子束的束流密度分布均匀度进行了模拟分析和研究,得到了这些参数对二极管发射环形电子束的束
【机 构】
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中国工程物理研究院研究生部;中国工程物理研究院 应用电子学研究所 高功率微波技术重点实验室 四川 绵阳 621900
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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介绍了用于高功率相对论速调管放大器的强流相对论二极管的物理和模拟设计,以及通过模拟研究的方法分析了影响环形电子束发射均匀度的因素,重点通过模拟结果分析和阐述了产生环形电子束流发射密度不均匀的原因以及消除束流发射不均匀的方法.利用PIC模拟方法从对改变不同的二极管阴极参数,包括阴极大小,阴极厚度等,发射得到的环形电子束的束流密度分布均匀度进行了模拟分析和研究,得到了这些参数对二极管发射环形电子束的束流均匀度的影响,通过对场强分布的分析,得出阴极表面场强的分布与电子束的发射有着直接的关系.
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