【摘 要】
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针对单脉冲激光三维成像应用需求,研制了由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的32×32阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极
【基金项目】
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总装十二五预研(51302030102)
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针对单脉冲激光三维成像应用需求,研制了由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的32×32阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个单元获取光子飞行时间,实现ns级的时间分辨率,并完成雪崩淬灭功能。倒装混合集成的32×32 GM APD FPA器件暗计数率(DCR)均值为20.2KHz,单光子探测效率(PDE)均值为18.2%,单元时间抖动为332ps,串扰累积概率为15.6%,实现了激光三维成像探测功能。
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