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High Performance Schottky Diodes Based on IGZO

来源 :第二十届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huiyuanai852

【作 者】

：

Jiawei Zhang Qian Xin Aimin Song 

【机 构】

：

SchoolofPhysics,ShandongUniversity,Jinan,China

【出 处】

：

第二十届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2015年7期

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