【摘 要】
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随着微电子行业的飞速发展,迫切需要低介电常数的材料来制备高性能集成电路。含氟芳香聚酰亚胺材料具有较低的介电常数,能够满足高性能集成电路对介电常数的要求。此外,氟元
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随着微电子行业的飞速发展,迫切需要低介电常数的材料来制备高性能集成电路。含氟芳香聚酰亚胺材料具有较低的介电常数,能够满足高性能集成电路对介电常数的要求。此外,氟元素的引入还能够赋予芳香聚酰亚胺优异的溶解性和良好的抗湿性。但是,含氟芳香聚酰亚胺依然存在着一些问题,比如高的热膨胀系数,严重的化学敏感性和低的机械强度。为此,本文设计并合成了一系列具有不同交联苯乙烯侧基含量的共聚聚酰亚胺。引入的苯乙烯侧基可以发生热交联反应,形成密集的交联网状结构。由于介电限域效应,这种网状结构能够有效地降低介电常数,比如与交联前相比,Co-PI-5的介电常数从2.84降至2.48,这表明交联处理能够降低介电常数。同时,交联处理之后,聚酰亚胺的吸水率明显下降,机械性能显著提升,热膨胀系数相应的下降,有效地解决了氟元素的引入所带来的缺陷。这些优异的综合性能表明交联聚酰亚胺在层间绝缘的应用中具有很大的潜力。
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