TFA-MOD方法制备Y1-xHoxBa2Cu3O7-δ薄膜及性能研究

来源 :帕纳科第12届用户X射线分析仪器技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lulswhzx512

【摘要】

：

采用三氟乙酸金属有机物沉积方法在不改变工艺条件下,在LaAlO3(001)衬底上制备了Y1-xHoxBa2Cu3O7-δ(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)薄膜.其中,Yo.6Hoo.4Ba2Cu3O7-δ的临界电流密度Jc最高,77K自场下是YBa2Cu3O7-δ的1.6倍.磁通钉扎类型并没有随Ho的替代而改变,依然为δl钉扎类型,是由于Y3+和Ho3+的离子半径相近的缘故.这种在

【作者】

：

菅洪彬李琦施东齐张莉杨昭荣窦石学朱雪斌孙玉平

【机构】

：

中科院固体物理研究所,材料重点实验室,中国合肥,230031 卧龙岗大学,超导与电子材料学院,澳大

【出处】

：

帕纳科第12届用户X射线分析仪器技术交流会

【发表日期】

：

2012年7期

【关键词】

：

氧化钇钡铜薄膜三氟乙酸金属有机物沉积方法显微结构电学性能

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