【摘 要】
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SiOx基薄膜具有与当前CMOS半导体集成电路工艺兼容的先天优势,是新概念存储技术-RRAM的理想侯选材料,而当前国际上相关研究尚处在现象报道为主的起步阶段,电致阻变的稳定性亟待提高,阻变机理也有待于进一步澄清.本文将通过调节磁控溅射技术的工艺参数来调节SiOx薄膜的微观结构和阻变性能,通过XPS来研究其阻变机理.
【机 构】
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波315201
【出 处】
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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会
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SiOx基薄膜具有与当前CMOS半导体集成电路工艺兼容的先天优势,是新概念存储技术-RRAM的理想侯选材料,而当前国际上相关研究尚处在现象报道为主的起步阶段,电致阻变的稳定性亟待提高,阻变机理也有待于进一步澄清.本文将通过调节磁控溅射技术的工艺参数来调节SiOx薄膜的微观结构和阻变性能,通过XPS来研究其阻变机理.
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