电源模块中关键器件可靠性的研究

来源 :中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wanshanshan1989

【摘要】

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对当前应用较广泛的DC/DC电源模块中关键器件-VDMOS场效应晶体管和肖特基势垒二极管(SBD)的可靠性进行了研究.使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命

【作者】

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吕长志;马卫东;朱春节;段毅;谢雪松;张小玲;郭春生;李志国;

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室北京 100124

【出处】

：

中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会

【发表日期】

：

2008年期

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对当前应用较广泛的DC/DC电源模块中关键器件-VDMOS场效应晶体管和肖特基势垒二极管(SBD)的可靠性进行了研究.使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命试验方法-恒定电应力温度斜坡法(CETRM),获得VDMOS、SBD的平均寿命分别为1.47×107小时和7.6×107小时.对试验中失效的VDMOS、SBD进行了初步的失效分析.

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