【摘 要】
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在GaN外延材料中,存在着大量的位错,这些位错对GaN基材料和器件的电学和光学性质有着极大的影响.位错是由于GaN在生长过程中热应力(或其他外力)作用,使GaN中某一部分(沿滑移面)发生滑移,已滑移区与未滑移区的分界线称为位错线.以位错线与其柏格斯矢量的相对取向来区分位错的类型,两者相互垂直叫刃型位错,两者平行的叫螺型位错,否则叫混合位错.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京100083
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在GaN外延材料中,存在着大量的位错,这些位错对GaN基材料和器件的电学和光学性质有着极大的影响.位错是由于GaN在生长过程中热应力(或其他外力)作用,使GaN中某一部分(沿滑移面)发生滑移,已滑移区与未滑移区的分界线称为位错线.以位错线与其柏格斯矢量的相对取向来区分位错的类型,两者相互垂直叫刃型位错,两者平行的叫螺型位错,否则叫混合位错.
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