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本文利用半导体技术在脉冲激光器的研制方面做了一些工作。利用离子注入GaAs 实现闪光灯泵浦Nd: YAG 激光器被动调Q, 脉冲宽度为62 ns。利用1 微米半导体可饱和吸收镜实现固体激光器被动锁模，最短脉冲宽度为4.35 ps，利用800 nm 布拉格型半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光器自启动被动锁模，脉冲宽度为37 fs。