【摘 要】
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介绍了一种星用16位D/A转换器抗辐射加固设计和加固工艺技术。根据卫星辐照环境特点，主要从系统结构加固设计、关键单元加固设计和工艺加固技术等方面进行了阐述；重点对2.0
【机 构】
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模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆 400060
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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介绍了一种星用16位D/A转换器抗辐射加固设计和加固工艺技术。根据卫星辐照环境特点，主要从系统结构加固设计、关键单元加固设计和工艺加固技术等方面进行了阐述；重点对2.0μm CBiCMOS加固工艺的器件结构设计原理进行了详细阐述，给出器件仿真数据和实验结果；最后，根据辐照试验进行了分析.采用该加固工艺研制的星用16位D/A转换器实现了工作电压±5.0 V、转换速率≥30 MSPS、建立时间≤50ns、线性误差≤±8 LSB、微分误差≤±8 LSB等性能指标，抗辐射达到中子：5x1013n/cm2、γ总剂量：5.0x103Gy(Si)水平。
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