【摘 要】
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利用溶液腐蚀法制备了非磁性Cu2+离子掺杂的ZnO基稀磁半导体.图1的XRD表明掺杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构,没有任何杂质相产生.从插图中我们可以看出,掺杂后所有的衍射
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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利用溶液腐蚀法制备了非磁性Cu2+离子掺杂的ZnO基稀磁半导体.图1的XRD表明掺杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构,没有任何杂质相产生.从插图中我们可以看出,掺杂后所有的衍射峰都朝高衍射角方向移动,反映了掺杂后晶格常数变小.从图2的SEM可以看出,掺Cu后的ZnO仍然保持六方棱柱状排列,呈现C轴取向,与XRD的结果吻合.
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