论文部分内容阅读
暗电流抑制剂能明显提高电池的光电性能,暗态下电池EIS界面阻抗表明增大了电池的开路电压是由于TiO2的界面难于发生复合反应,电子寿命增大；电池短路光电流下降是由于电子注入到TiO2导带的驱动力和电解质中I-/I3-的扩散系数的降低。
暗电流抑制剂对染料敏化太阳电池光伏性能的影响
【摘 要】
：
暗电流抑制剂能明显提高电池的光电性能,暗态下电池EIS界面阻抗表明增大了电池的开路电压是由于TiO2的界面难于发生复合反应,电子寿命增大；电池短路光电流下降是由于电子注入
【机 构】
：
中国科学院等离子体物理研究所 太阳能材料与工程研究室,安徽省 合肥市 230031
【出 处】
：
第十届中国太阳能光伏会议
【发表日期】
：
2008年期
其他文献
本文研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强10～100mW/cm2范围内变化时的特性。结果表明,随光强的减弱,电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于70 m
In2S3薄膜是一种重要的光电和光伏材料,获得低成本致密的In2S3薄膜成为其研究的趋势。本文采用化学水浴法,并添加不同种的添加剂制备了In2S3薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电
利用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上制备了不同Cu/In摩尔比的CuInS2薄膜(简称为CIS)。通过能谱仪(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和可见光吸收谱仪对制备的薄膜进
会议
本文采用共蒸法制备出了新型薄膜太阳电池材料——AlSb多晶薄膜。通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构、掺杂类型等。分析表明,刚沉积
会议
本文研究用于太阳电池的AlSb多晶薄膜的性质.用几何靶磁控溅射方法在石英玻璃衬底上沉积了约460nm厚的AlSb薄膜,然后在580-650℃的温度下进行了1个小时的真空退火处理。X射线
会议
本文采用共蒸发方法制备GaSb薄膜。XRD测试结果表明,薄膜为多晶结构,具有(111)择优取向；随着衬底温度的升高,薄膜晶粒尺寸增大；光学测试表明,薄膜的吸收系数达到104cm-1,制备的
会议
The importance of video sequence varied with the regions, and human visual attention too varied with the importance of region of video sequence, so the subjecti
本文介绍了SiH4+GeH4和SiH4+GeF4两种反应气体系列制备p型微晶硅锗薄膜的研究结果。实验采用VHF-PECVD技术,以B2H6为掺杂气体,通过改变GeH4和GeF4的流量制备出不同锗含量的系
会议
在ITO玻璃和普通玻璃上用PECVD技术制备掺N类金刚石薄膜,用XP-1台阶仪测量薄膜厚度,并用U4100分光光度计分析测试薄膜反射光谱与氮掺杂量的关系。实验表明,以普通玻璃为衬底
会议