【摘 要】
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近年来,针对一维纳米结构的形貌和性能调控引起了科研工作者的极大兴趣[1,2]。这里我们通过化学气相沉积(CVD)的方法,成功制备出高质量的弯折In2S3纳米线,并对其做了系统的研究。研究发现,弯折In2S3纳米线沿粗糙面(220)生长而不是光滑面(222),是由于气体原子更易在凸点位置吸附,且弯折角呈120度；低温阴极发光测试发现其存在780nm和900nm两个缺陷峰,780nm峰源自氧空位缺陷,
【机 构】
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华中科技大学材料科学与工程学院,武汉,430074
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近年来,针对一维纳米结构的形貌和性能调控引起了科研工作者的极大兴趣[1,2]。这里我们通过化学气相沉积(CVD)的方法,成功制备出高质量的弯折In2S3纳米线,并对其做了系统的研究。研究发现,弯折In2S3纳米线沿粗糙面(220)生长而不是光滑面(222),是由于气体原子更易在凸点位置吸附,且弯折角呈120度；低温阴极发光测试发现其存在780nm和900nm两个缺陷峰,780nm峰源自氧空位缺陷,900nm峰源自硫的2P轨道迁移；在对比弯折部位和直线部位的光电探测性能时,发现弯折部位的性能明显要弱于直线部位的性能,这是由于在弯折部位存在应力,增加了额外的电阻,从而降低了弯折部位的光电探测性能。
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