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本文利用修正的Callaway模型对含杂质、位错、以及同位素的LEOGaN的导热系数进行了研究,计算表明同位素对LEOGaN的导热系数同位素影响较大,而位错和杂质大于一定值时其值才对导热系数产生影响.
Lateral Epitaxy Overgrown(LEO)GaN导热系数的数值研究
【摘 要】
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本文利用修正的Callaway模型对含杂质、位错、以及同位素的LEOGaN的导热系数进行了研究,计算表明同位素对LEOGaN的导热系数同位素影响较大,而位错和杂质大于一定值时其值才对
【机 构】
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清华大学航天航空学院,传热与能源利用北京市重点实验室,北京,100084
【出 处】
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2006中国工程热物理学会传热传质学学术会议
【发表日期】
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2006年期
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