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分子电子器件中的转变电压谱研究
分子电子器件中的转变电压谱研究
来源 :中国化学会第30届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xigongdaxigongda
【摘 要】
:
转变电压谱是一种表征分子电子器件中的分子能级位置的重要谱学方法,我们利用非平衡格林函数与密度泛函理论相结合方法研究了金电极真空隧道结和分子结的转变电压特性。
【作 者】
:
侯士敏
【机 构】
:
北京大学信息科学技术学院,北京,100871
【出 处】
:
中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
:
2016年期
【关键词】
:
分子电子器件
变电压
非平衡格林函数
密度泛函理论
谱学方法
能级位置
方法研究
电压特性
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转变电压谱是一种表征分子电子器件中的分子能级位置的重要谱学方法,我们利用非平衡格林函数与密度泛函理论相结合方法研究了金电极真空隧道结和分子结的转变电压特性。
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