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采用PECVD 法沉积制得nc-Si:H 薄膜，用Nicolet Nexus 870傅立叶透射谱仪测量了它的透射谱，通过计算得到了样品的吸收谱，采用线性外推法得到了样品的光学带隙。引用该实验的数据，运用AMPS软件，对I层渐变带隙太阳电池进行了模拟。模拟结果说明，当I层厚度在500nm的时候，电池效率eff有最大值；渐变带隙的nc-Si:H薄膜电池具有高光电转化效率，达到了22.134﹪。