氧化钛纳米管阵列薄膜具有结构独特、性能优异的特点，近年来受到广泛关注[1]。由于氧化钛的帯隙较宽，氧化钛纳米管阵列薄膜的光电性能仍不能满足要求，需进一步提高。本文以氧化钛纳米管阵列膜为基础，采用沉淀法向纳米管中沉积氧化物制备氧化物修饰的氧化钛纳米管阵列薄膜，对其结构和光电性能进行了测试，重点研究了铁、铋、钛氧化物修饰TiO2纳米管阵列膜的光电性能[2-3]。采用阳极氧化法首先在钛片上制备排列规则、垂直导向的TiO2纳米管阵列膜，然后通过化学浸渍、沉淀和后续退火工艺制得铁铋钛复合氧化物改性的氧化钛纳米管阵列薄膜。通过对退火后的样品的XRD图谱分析可知，所得样品谱线相似，样品结构均为锐钛矿；紫外可见吸收光谱分析表明，样品的禁带宽度没有明显移动，这是由于所沉积的氧化物的量相对较少所致。在氙灯照射下，对不同样品进行了光电性能测试，结果表明，经过Fe3+、Bi3+ 、Ti4+单一金属离子氧化物或多金属离子复合氧化物修饰的样品的光电性能均比未经处理的氧化钛纳米管阵列薄膜好，修饰氧化物中含有Ti4+离子的样品的光电性能优于不含Ti4+离子的样品。经过铋钛复合氧化物、铁铋钛复合氧化物修饰的样品的开路电位明显高于其它样品，表1 是部分样品的开路电位。经过铁钛复合氧化物修饰的样品具有较好的储电性能，图1 是部分样品的开路电位—时间曲线。另外，金属离子浓度、金属离子的相对比例等对样品的光电性能都有影响。