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Modeling of SiC epitaxy and bulk crystal growth
【机 构】
：
Department of Applied Chemistry,Harbin Institute of Technology,Room 1019,92 Xidazhi Street,Harbin,Ch
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
【发表日期】
：
2015年期
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