【摘 要】
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该文认为提高GaAs材料的抗Y射线剂量率性能，也就是减小当y射线照射半导体器件时基体材料的电离效应和位移效应，关键在于对基体材料进行晶格加固和尽量提高基体材料的纯度。因此
【出 处】
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
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该文认为提高GaAs材料的抗Y射线剂量率性能，也就是减小当y射线照射半导体器件时基体材料的电离效应和位移效应，关键在于对基体材料进行晶格加固和尽量提高基体材料的纯度。因此研究人员采用高压原位合成LEC拉晶工艺进行等电子掺杂来加固晶体的晶格；同时采用原位提纯工艺提高材料的纯度；特别是采取了一系列的降低C浓度的措施，使得研制的SI—GaAs单晶材料中的C浓度降低了半个数量级，单晶的电子迁移率也相应地有了很大的提高。
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