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发展了一种金刚石粉液超声预处理方法，在合适的条件下，单晶硅表面成核密度可达１０〈’１０〉ｃｍ〈’－２〉，石英玻璃表面达到１０〈’９〉ｃｍ〈’－２〉。采用热解ＣＶＤ方法，在甲烷－氢气比为１．５℅￣２℅下成核，＜１℅下生长。在单晶硅表面可生成厚约０．２μｍ的超薄金刚石膜，在石英玻璃表面可生成厚约０．４μｍ的超薄金刚石膜。这些金刚石膜的Ｒａｍａｎ谱中未发现非金刚石峰，说明有高的纯度。对厚１ｍｍ的石英玻璃上生长的超薄金刚石膜光透性测量表明，在入射波长大于０．８μｍ时，透射率与原始石英玻璃基片透射率之比高达７０℅以上。