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栅发射在栅控行波管中是较为普遍的现象，为了降低栅发射通常采用高逸出功金属作为栅极或在栅极表面沉积高逸出功物质或沉积能与蒸散到栅极上的活性物质反应形成高逸出功化合物的金属。本文直接采用纯金属Hf作为栅极，与普通Mo栅极对比，研究了Hf栅极在模拟电子管中管子烘排后、阴极激活后及初始寿命中的栅发射情况。实验证明：在初始栅发射过程中，纯Hf栅极具有较小的栅发射电流。