ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟研究

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:haicang
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本文采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量,动量,质量和物种守恒方程,本文主要研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO的分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果给ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.
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