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以GaN为代表的Ⅲ-V族半导体材料由于其极宽的可调带隙和很强的化学稳定性在制备LED和太阳电池等器件前景广阔。而制约其效率之一的点缺陷导致非辐射复合一直研究的热点和难点，但在过去的60年中除了早期部分的解析工作外直到现在也没用一套针对其完备的理论计算。
GaN中深能级载流子非辐射复合速率的第一性原理计算
【摘 要】
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以GaN为代表的Ⅲ-V族半导体材料由于其极宽的可调带隙和很强的化学稳定性在制备LED和太阳电池等器件前景广阔。而制约其效率之一的点缺陷导致非辐射复合一直研究的热点和
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年期
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