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Time Response to The Gate Voltage in Strongly Correlated Transistors Using Epitaxial VO2TiO2 Stacks
【机 构】
:
DepartmentofMaterialsEngineering,TheUniversityofTokyo,Tokyo,Japan
【出 处】
:
The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际
【发表日期】
:
2016年10期
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