【摘 要】
：
目前液晶显示或有机LED显示的背板驱动电路仍然以非晶硅或者低温多晶硅晶体管作为主要元件,但由于非晶硅的迁移率低(～1cm2/Vs)和多晶硅的均匀性差等缺点,硅基薄膜晶体管不能满
【机 构】
：
南京大学电子科学与工程学院和江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京 210046
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
目前液晶显示或有机LED显示的背板驱动电路仍然以非晶硅或者低温多晶硅晶体管作为主要元件,但由于非晶硅的迁移率低(～1cm2/Vs)和多晶硅的均匀性差等缺点,硅基薄膜晶体管不能满足以高分辨率、大尺寸和高帧数为特点的下一代信息显示的要求.虽然IGZO基非晶氧化物薄膜晶体管成功解决了迁移率和均匀性问题,但其光照下稳定性问题及贵重金属In和Ga的消耗仍有待解决，本工作采用磁控溅射方法制备出迁移率高达72cm2V-ls-l的非晶ZnON薄膜，并通过退火优化制备出了高稳定性、高迁移率薄膜晶体管。研究发现，未退火样品暴露空气中易发生水解和氧化作用，由富N的ZnON逐渐向富O的ZnON薄膜转变，其迁移率、载流子浓度均急剧下降。为提高材料的热稳定性和化学稳定性，对材料进行了不同温度的退火优化条件的探索。实验表明，迁移率随退火温度的升高先增加后减小，
其他文献
SnO2是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,与目前应用较多的宽禁带半导体GaN、ZnO相比具有更好的化学稳定性、更宽的带隙(3.6eV)等特性.近年来这些特性使得SnO2作为制备短
薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在信息显示、传感器等领域具有广泛的应用价值,而以氧化物半导体材料为基础的TFTs更是由于其高迁移率、高可见光透光性及低生长温度而
作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展
磷是动植物的重要组成成分,是生物体的必需元素之一.但水环境中总磷含量超过0.1mg/L会造成水中藻类植物过度繁殖,从而导致水体富营养化,使水质恶化,严重时耗尽水中氧气而造成
高质量非极性面取向ZnOS薄膜的生长制备及其结构和性能探究具有重要的学术意义和潜在应用价值.由于极性面量子阱受到斯塔克效应的影响,近年来人们对ZnO的研究已经扩展到了非
面向量子器件实用化和集成化的发展趋势,基于半导体量子点的全固态器件方案是实现单光子源的理想选择.在这方面,国际上有很多研究组进行该方面的研究.到目前为止,已有利用InA
声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件是射频滤波、信号延迟、脉冲压缩等,是无线通讯、导航等领域中信号处理技术的核心元件之一,具有插入损耗低、阻带抑制比高、带宽较
本文利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率AZO薄膜.详细研究了衬底温度和氧分压对AZO
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,因而ZnO基氧化物薄膜是一种可用于制备透明电子器件的半导体材料.本文中,主要探讨ZnO:Al(AZO)